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公司获得特别授权,利用先进的技术进行半导体激光,光纤激光器件和系统的生产. 纽敦公司为实现高功率高亮度激光器,已研发一种高效且独特的耦合技术。这项核心技术使半导体激光输出亮度达到了前所未有的水平.由此开发出的光纤耦合及准直器件为各种应用提供了优质光束质量、高功率和高亮度、高性能和高可靠性。光束整形技术使的半导体激光器输出亮度超过4MW / cm2 sr1。并使得半导体激光器首次被直接用于钢板切割.

在多种应用中, 如在固体激光和光纤激光器的实现中,高亮度和大功率半导体激光输出都被证明是必不可少的.耦合技术的突破,和高亮度的获得使许多应用和技术变为可能。
光束整形技术
纽敦公司以其拥有的优越的光学技术和优质产品处于当今高功率半导体激光的市场的领先地位。实现高功率半导体激光的高亮度输出是成功和有效地实现这类器件在很多领域应用的关键。
实现高亮度的困难来自于半导体激光器的几何形状和结构.大功率的半导体激光器通常是做成阵列的形式(LDA).阵列由许多的发光体构成,而每一个元件都是非常薄而狭窄的(大约1x3.5 µm),发光功率多小于300 mW。比如说,一个典型的半导体激光列阵的发光面可带大约20个发光体,整个LDA的发光尺寸约为1厘米×1µm.
来自LDA的原始输出光是高度发散,并且呈现不对称散光和椭圆束流剖面. 当来自LDA的非圆形的、散光的、没\有次序的光被聚交时, 这个光点被大大的延长,对大多数的应用程序,这个光点是不需要的. 同时, 这个光点的低亮度产生于在发射器装置的死间距.
纽敦公司已在激光器排列上开发的先进的成形光学,当通过光束增加功率输出时能够充分地保持亮度。使用各种结构的特别光学元件, 结合光纤形成和重新排列这个光, 来达到高效率和大功率结合成的光纤,与传统的成形光和聚交光相比,更优质的光能被实现。
用适当的聚交光学头, 纤维光束能被集中在工作元件上,或者,如果需要的话,可以缩小成更小带有扩大孔径的光点。这是通过使用两组棱镜来划分和重新排列来自LDA的光来实现,弥补了使用类似的BPP重新在慢轴和快轴上排列光.这种先进的成形光学技术, 为纽敦公司产品在大功率激光二极管光束交付的特性高亮度方面提供巨大成功.
激光安全技术
高功率半导体激光辐射在光谱的可见光和红外区域。当使用时,应该采取安全预防措施来避免损伤眼睛的可能。根据激光危险的分类,许多本公司的激光产品为四级, 故在操作中须特别谨慎. 不允许把眼睛或皮肤暴露在直接或是发散的辐射区域内. 如果必须观察, 应该通过哑光表面的反射利用图像转换器或是合适的荧光屏来观察光. 如果身体的任何部分被暴露在光中, 可以导致严重的损伤,眼睛对红外线辐射极其敏感,因此, 任何时候都必须戴合适的眼镜.
具体处理措施
1、在激光工作的区域周围张贴警告, 以提醒现场人员.
2、所有未经授权的人员应远离激光操作区域.
3、当激光器运行,而光还未被使用, 应该用机械方法阻止辐射路径.
4、不要直接观看激光路径或是从任何反射物表面看散射的激光.
5、不要看直接观看激光光源。
6、在低功率下维护系统,以防止因疏忽造成的光和眼睛的接触。
7、以防意外暴露在激光或是其反射光中,操作者应该穿能充分减弱激光的防护服。
一般处理措施
  • 防静电
在正常操作条件,半导体激光器是非常可靠的。然而, 就像大多数的半导体装置一样,他们可以很容易地被疏忽的电气泄露或静态的放电现毁损。半导体激光对静电放电(ESD)非常敏感,除非他们根据适当的防静电程序来处理,否则可能导致潜在的灾难性损失。灾难性损失通常是由光学腔外P-N结击穿引起的. 过压或静电引起的结工作区的缺陷可随着时间的而延伸到激光腔内. 激光性能下降可以是立即显现,或损伤后很久才显现.一个无静电的环境是必须的.防静电地板,半导体激光外壳的接地,接地的镊子及接地的腕带, 都可以减少了静电对半导体激光器的破坏风险。在不用的时候(如运输时),保持半导体激光器在没有静电的环境下。当不使用时,随时将半导体激光器的电极短路。比如可用裸铜线把电极绕在一起进行短路。(注意:没有被短路的激光即使没有触摸它也可能通过防静电被毁损,). 用户在没有得到生产公司的授权情况下,不得尝试对器件进行维修. 本公司对未经允许的维修和服务所导致的任何损失不负责. 任何企图打开激光装置的行为使保修期失效.
  • 过高正向电流
过度正向电流能在小于1毫秒的时间里对器件产生的损害. 这种损害后半导体激光有时仍可工作,但效率、功率均会下降,或是仅存自发辐射.
  • 反向电流
反向电流也可能损坏了半导体激光器,。不正常的正向或者反向电流可有许多原因.如驱动系统里能量反射,安装件或电缆所存的电容、或恒流源空载运行所产生的输出电容等。驱动电源应用虚拟负载进行测试后方可使用。
  • 过电压
半导体结点可由于过高的正向电流和任何反向电压而受损.这个问题有时可以通过在输出并联个二极管来解决.但这最通常是发上在静电放电或开关调整其他实验室电源产生的瞬间电压变化. 许多电源,即便是整流后还是在开关时显现非常快的电压脉冲.以下注意事项会最大地减少破坏性的瞬间电涌:
a.为减少静电积累,处理半导体激光器时,应佩戴一个接地的防静电手环。
b.在接地工作区内使用,不用时,应将半导体激光器存放在原包装中。
c.在操作激光二级管中,为避免电源出现短时尖峰,应使用为半导体激光器专门设计的电源或者其他“慢启动”电源。
  • 冷却
高功率半导体激光器需要足够的散热或有效的冷却。若未能提供一个合适散热器或冷却环境,器件会受到不可逆的破坏。一般情况下,光纤耦合激光发生器要保持在25°C或更低运行。对于被动冷却装置(非水冷式),必须有一个良好的温度控制或监视。对水的冷却装置,一个足够的冷却循环是至关重要的。
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